Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3
;
SIHA11N80E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHA11N80E-GE3 при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHA11N80E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-Ч

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 800В
  • Номинальный ток нагрузки (ID): 12А
  • Тип корпуса: TO220

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый динамический сопротивление
  • Высокая скорость переключения
  • Минимальные потери при работе

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
  • Требуется дополнительная термическая вентиляция для эффективного отвода тепла

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
  • Применяется в преобразователях мощности, инверторах, источниках питания
  • Используется в системах управления двигателем

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах питания
  • Инверторах для домашнего использования
  • Преобразователях мощности для электроники
  • Системах управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SIHA11N80E-GE3

Техническая документация

SIHA11N80E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1081 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    387 ₽
  • 50
    330 ₽
  • 100
    329 ₽
  • 500
    315 ₽
  • 1000
    300 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHA11N80E-GE3 при покупке от 1 шт 387.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHA11N80E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-Ч

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 800В
  • Номинальный ток нагрузки (ID): 12А
  • Тип корпуса: TO220

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый динамический сопротивление
  • Высокая скорость переключения
  • Минимальные потери при работе

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
  • Требуется дополнительная термическая вентиляция для эффективного отвода тепла

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
  • Применяется в преобразователях мощности, инверторах, источниках питания
  • Используется в системах управления двигателем

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах питания
  • Инверторах для домашнего использования
  • Преобразователях мощности для электроники
  • Системах управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SIHA11N80E-GE3

Техническая документация

SIHA11N80E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории