Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHB120N60E-GE3

SIHB120N60E-GE3

SIHB120N60E-GE3
;
SIHB120N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHB120N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1000.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB120N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB120N60E-GE3

SIHB120N60E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с номинальным напряжением блокировки 600 В и током тока 25 А. Он представлен в корпусе D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS(on)): 600 В
    • Ток тока (ID): 25 А
    • Корпус: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий коэффициент сопротивления при ON (RDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота использования и интеграции в различные электронные системы
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее производительными моделями
    • Требуется дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как преобразователи напряжения, регуляторы питания, инверторы и др.

  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные зарядные устройства и адаптеры питания
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Преобразователи напряжения для компьютеров и ноутбуков
    • Регуляторы питания для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB120N60E-GE3

Техническая документация

SIHB120N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 906 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 000 ₽
  • 50
    564 ₽
  • 100
    539 ₽
  • 500
    450 ₽
  • 1000
    436 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHB120N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1000.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB120N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB120N60E-GE3

SIHB120N60E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с номинальным напряжением блокировки 600 В и током тока 25 А. Он представлен в корпусе D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS(on)): 600 В
    • Ток тока (ID): 25 А
    • Корпус: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий коэффициент сопротивления при ON (RDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота использования и интеграции в различные электронные системы
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее производительными моделями
    • Требуется дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как преобразователи напряжения, регуляторы питания, инверторы и др.

  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные зарядные устройства и адаптеры питания
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Преобразователи напряжения для компьютеров и ноутбуков
    • Регуляторы питания для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB120N60E-GE3

Техническая документация

SIHB120N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории