Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHB17N80AE-GE3

SIHB17N80AE-GE3

SIHB17N80AE-GE3
;
SIHB17N80AE-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHB17N80AE-GE3 при покупке от 1 шт 530.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB17N80AE-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB17N80AE-GE3

SIHB17N80AE-GE3 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) N-канального типа с напряжением включения 800В и током 15А. Комплектация D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Напряжение включения: 800В
    • Ток: 15А
    • Комплектация: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильная работа при высоких температурах
    • Малый динамический ток утечки
    • Малые потери при работе
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при больших токах
    • Необходимость использования внешних компонентов для защиты от перегрузок
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача мощности
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления двигателем
    • Системы питания компьютеров и серверов
    • Питание мобильных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB17N80AE-GE3

Техническая документация

SIHB17N80AE-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 979 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    530 ₽
  • 50
    317 ₽
  • 100
    303 ₽
  • 500
    247 ₽
  • 1000
    229 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHB17N80AE-GE3 при покупке от 1 шт 530.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB17N80AE-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB17N80AE-GE3

SIHB17N80AE-GE3 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) N-канального типа с напряжением включения 800В и током 15А. Комплектация D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Напряжение включения: 800В
    • Ток: 15А
    • Комплектация: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильная работа при высоких температурах
    • Малый динамический ток утечки
    • Малые потери при работе
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при больших токах
    • Необходимость использования внешних компонентов для защиты от перегрузок
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача мощности
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления двигателем
    • Системы питания компьютеров и серверов
    • Питание мобильных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB17N80AE-GE3

Техническая документация

SIHB17N80AE-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории