Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3
;
SIHB22N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHB22N60E-GE3 при покупке от 1 шт 954.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB22N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 600В 21А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размер тока (ID(on)): 21А
    • Технология: D2PAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи (Kon)
    • Малый ток дrain-to-source при отключенном MOSFETе (ID(off))
    • Компактный размер
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим и термическим воздействиям
  • Минусы:
    • Высокие затраты на проектирование и производство
    • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Регулировка напряжения в электропитании устройств
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
    • Электронные блоки управления
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах питания
    • Питании бытовой техники
    • Системах управления двигателем
    • Промышленных преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB22N60E-GE3

Техническая документация

SIHB22N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 10224 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    954 ₽
  • 10
    628 ₽
  • 100
    500 ₽
  • 500
    445 ₽
  • 1000
    380 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHB22N60E-GE3 при покупке от 1 шт 954.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB22N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 600В 21А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размер тока (ID(on)): 21А
    • Технология: D2PAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи (Kon)
    • Малый ток дrain-to-source при отключенном MOSFETе (ID(off))
    • Компактный размер
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим и термическим воздействиям
  • Минусы:
    • Высокие затраты на проектирование и производство
    • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Регулировка напряжения в электропитании устройств
    • Драйверы для индуктивных нагрузок
    • Электронные блоки управления
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах питания
    • Питании бытовой техники
    • Системах управления двигателем
    • Промышленных преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB22N60E-GE3

Техническая документация

SIHB22N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории