Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SIHB30N60ET1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHB30N60ET1-GE3

SIHB30N60ET1-GE3

SIHB30N60ET1-GE3
;
SIHB30N60ET1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHB30N60ET1-GE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 600VВсе характеристики

Минимальная цена SIHB30N60ET1-GE3 при покупке от 1 шт 1247.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB30N60ET1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB30N60ET1-GE3

Маркировка SIHB30N60ET1-GE3:

  • Производитель: Vishay Siliconix
  • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Ток: 30А

Основные параметры:

  • Приставка SIH: обозначает транзистор с низким уровнем вольта-секунды (VGS-th), что обеспечивает быстрое включение и выключение
  • B30N60E: обозначение серии транзисторов с номинальным током 30А и напряжением 600В
  • T1: обозначение серии с улучшенными характеристиками при высоких температурах
  • GE3: обозначение конкретной модели или варианта в серии

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Быстрое включение и выключение
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Низкое энергопотребление

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с менее качественными аналогами
  • Требует точного проектирования системы охлаждения для работы при высоких температурах

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Применение в промышленных системах управления
  • Работа в схемах преобразования напряжений
  • Использование в системах регулирования напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные зарядные устройства
  • Системы управления электропитанием серверных шкафов
  • Промышленные системы управления двигателей
  • Источники питания для домашней техники
  • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB30N60ET1-GE3

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

 SIHB30N60ET1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 994 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 247 ₽
  • 10
    840 ₽
  • 100
    618 ₽
  • 800
    505 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHB30N60ET1-GE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 600VВсе характеристики

Минимальная цена SIHB30N60ET1-GE3 при покупке от 1 шт 1247.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB30N60ET1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB30N60ET1-GE3

Маркировка SIHB30N60ET1-GE3:

  • Производитель: Vishay Siliconix
  • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Ток: 30А

Основные параметры:

  • Приставка SIH: обозначает транзистор с низким уровнем вольта-секунды (VGS-th), что обеспечивает быстрое включение и выключение
  • B30N60E: обозначение серии транзисторов с номинальным током 30А и напряжением 600В
  • T1: обозначение серии с улучшенными характеристиками при высоких температурах
  • GE3: обозначение конкретной модели или варианта в серии

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Быстрое включение и выключение
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Низкое энергопотребление

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с менее качественными аналогами
  • Требует точного проектирования системы охлаждения для работы при высоких температурах

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Применение в промышленных системах управления
  • Работа в схемах преобразования напряжений
  • Использование в системах регулирования напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные зарядные устройства
  • Системы управления электропитанием серверных шкафов
  • Промышленные системы управления двигателей
  • Источники питания для домашней техники
  • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB30N60ET1-GE3

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

 SIHB30N60ET1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMFS5C628NT1GMOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
    311Кешбэк 46 баллов
    NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NVMFS6H852NT1GMOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NVMFS5C673NLWFAFT1GMOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
    317Кешбэк 47 баллов
    NVMYS2D9N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
    317Кешбэк 47 баллов
    NVMJS1D7N04CTWGMOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS003N04CTAGMOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NTMFSC010N08M7MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS5C454NLTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS5C673NLWFTAGMOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS5C658NLTAGMOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS6H854NTAGMOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
    321Кешбэк 48 баллов
    NVMFS5C466NT1GMOSFET N-CH 40V 15A/49A 5DFN
    321Кешбэк 48 баллов
    FDD86380-F085MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    NVTFS5C466NLWFTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN
    322Кешбэк 48 баллов
    NVMFS6H836NT3GT8 80V SO8FL
    324Кешбэк 48 баллов
    NVMJS1D5N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
    324Кешбэк 48 баллов
    NTD5C632NLT4GT6 60V LL DPAK
    324Кешбэк 48 баллов
    NVTFS008N04CTAGMOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
    324Кешбэк 48 баллов
    NTMYS2D4N04CTWGMOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
    325Кешбэк 48 баллов
    NTMFS5C430NLAT1GNFET SO8FL 40V 200A 1.5MOH
    326Кешбэк 48 баллов
    MTV32N20EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS5H663NLWFT1GMOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVTFWS008N04CTAGMOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS6H852NWFT1GMOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVTFS5C460NLWFTAGMOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS5C456NLWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 87A 5DFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS6H824NLT1GMOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
    328Кешбэк 49 баллов
    NTMFS0D8N03CT1GMOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
    328Кешбэк 49 баллов
    NTTFS8D1N08HTAGMOSFET N-CH 80V 14A/61A 8WDFN
    330Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП