Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3
;
SIHB35N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHB35N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1213.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB35N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-Ч 650В 32А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 32А
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток дrain-to-source при отключенном транзисторе (low RDS(on))
    • Компактный размер и легкий вес
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с высокими токами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при высоких напряжениях
    • Подходит для применения в схемах преобразования напряжений, регуляторах напряжения, инверторах и других электротехнических устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления мощностью
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB35N60E-GE3

Техническая документация

SIHB35N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 33 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 213 ₽
  • 10
    876 ₽
  • 100
    761 ₽
  • 500
    661 ₽
  • 1000
    533 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHB35N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1213.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHB35N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-Ч 650В 32А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 32А
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток дrain-to-source при отключенном транзисторе (low RDS(on))
    • Компактный размер и легкий вес
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с высокими токами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при высоких напряжениях
    • Подходит для применения в схемах преобразования напряжений, регуляторах напряжения, инверторах и других электротехнических устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления мощностью
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SIHB35N60E-GE3

Техническая документация

SIHB35N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории