Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3
;
SIHD1K4N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHD1K4N60E-GE3 при покупке от 1 шт 322.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHD1K4N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 600В
    • Размерный ток (ID): 4.2А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря производителю Vishay / Siliconix
    • Малый сопротивление в ON-состоянии (VDS(on))
    • Способность работать при высоких температурах
    • Компактная конструкция TO252AA
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Не подходит для применения в устройствах с очень высокими токами без дополнительного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Регулировка напряжения
    • Переключение нагрузки
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства управления двигателем
    • Питание электронных устройств
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIHD1K4N60E-GE3

Техническая документация

SIHD1K4N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3264 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    322 ₽
  • 10
    204 ₽
  • 100
    136 ₽
  • 1000
    98 ₽
  • 6000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHD1K4N60E-GE3 при покупке от 1 шт 322.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHD1K4N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 600В
    • Размерный ток (ID): 4.2А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: TO252AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря производителю Vishay / Siliconix
    • Малый сопротивление в ON-состоянии (VDS(on))
    • Способность работать при высоких температурах
    • Компактная конструкция TO252AA
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Не подходит для применения в устройствах с очень высокими токами без дополнительного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Регулировка напряжения
    • Переключение нагрузки
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства управления двигателем
    • Питание электронных устройств
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIHD1K4N60E-GE3

Техническая документация

SIHD1K4N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории