Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHF28N60EF-GE3

SIHF28N60EF-GE3

SIHF28N60EF-GE3
;
SIHF28N60EF-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHF28N60EF-GE3 при покупке от 4 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHF28N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHF28N60EF-GE3

SIHF28N60EF-GE3 Siliconix - Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 28A TO220

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)) - 600В
    • Номинальный ток (ID) - 28А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Упаковка - TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Низкое значение тока дrain-source при отключенном состоянии
    • Высокий коэффициент передачи (high transconductance)
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие температурные нагрузки могут повлиять на характеристики
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в схемах преобразования напряжения
    • Работа в системах управления силами
    • Использование в трансиверах и инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Мощных преобразователях энергии
    • Промышленных системах управления
    • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIHF28N60EF-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    123mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2714 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    39W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220 Full Pack
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    SIHF28

Техническая документация

SIHF28N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 4 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHF28N60EF-GE3 при покупке от 4 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHF28N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHF28N60EF-GE3

SIHF28N60EF-GE3 Siliconix - Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 28A TO220

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)) - 600В
    • Номинальный ток (ID) - 28А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Упаковка - TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Низкое значение тока дrain-source при отключенном состоянии
    • Высокий коэффициент передачи (high transconductance)
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие температурные нагрузки могут повлиять на характеристики
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в схемах преобразования напряжения
    • Работа в системах управления силами
    • Использование в трансиверах и инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Мощных преобразователях энергии
    • Промышленных системах управления
    • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIHF28N60EF-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    123mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2714 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    39W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220 Full Pack
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    SIHF28

Техническая документация

SIHF28N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 4 шт