SIHFL210TR-GE3

Размеры и описание:

• Маркировка SIHFL210TR-GE3: Это модель MOSFET от производителя Vishay Siliconix.

• Тип MOSFET: N-канальный.

• Номинальное напряжение: 200В.

Основные параметры:

• VDS (nom): 200В.

• ID (RDS(on)) max: 14.5мО при температуре 25°C.

• Tj max: 175°C.

• Сопротивление при токе: ≤ 14.5мО при токе 1A.

• Коэффициент температурной зависимости RDS(on): ≤ 0.08%/°C при температуре 25°C.

Плюсы:

• Низкое сопротивление: низкий коэффициент RDS(on) обеспечивает минимальные потери энергии.

• Высокая надежность: высокие температурные характеристики и долгий срок службы.

• Малый размер: компактный корпус позволяет использовать его в ограниченном пространстве.

Минусы:

• Цена: может быть выше по сравнению с менее дорогими аналогами.

• Требования к проектированию: требуются дополнительные меры для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

• Использование в электронных устройствах, требующих управления током при высоком напряжении.

• Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, системах управления двигателем.

• Подходит для применения в промышленных, автомобильных и бытовых устройствах.

В каких устройствах применяется:

• Источники питания для компьютеров и серверов.

• Автомобильные системы управления двигателем и зарядными устройствами.

• Преобразователи энергии для солнечных батарей.

• Промышленные системы управления и автоматизации.