Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3
;
SIHG018N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG018N60E-GE3 при покупке от 1 шт 3303.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG018N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3 — это N-канальный MOSFET от компании Vishay Siliconix, предназначен для использования в различных электронных устройствах. Основные параметры:

  • Рейтингное напряжение (VGS(th)): 18 В
  • Рейтингное напряжение (VDS(on)): 600 В
  • Максимальная токовая способность (ID(on)): 99 А
  • Пакет: TO247AC

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении
  • Низкое энергетическое затухание
  • Высокая надежность и долговечность
  • Компактный размер пакета

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется внимание к проектированию для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Управление током в различных приборах
  • Уменьшение потерь энергии в системах питания
  • Изоляция высоковольтных цепей

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателем
  • Питания бытовой техники
  • Солнечных батареях
  • Электроприводах
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG018N60E-GE3

Техническая документация

SIHG018N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 678 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 303 ₽
  • 10
    2 099 ₽
  • 100
    1 814 ₽
  • 500
    1 806 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG018N60E-GE3 при покупке от 1 шт 3303.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG018N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3 — это N-канальный MOSFET от компании Vishay Siliconix, предназначен для использования в различных электронных устройствах. Основные параметры:

  • Рейтингное напряжение (VGS(th)): 18 В
  • Рейтингное напряжение (VDS(on)): 600 В
  • Максимальная токовая способность (ID(on)): 99 А
  • Пакет: TO247AC

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении
  • Низкое энергетическое затухание
  • Высокая надежность и долговечность
  • Компактный размер пакета

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется внимание к проектированию для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Управление током в различных приборах
  • Уменьшение потерь энергии в системах питания
  • Изоляция высоковольтных цепей

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателем
  • Питания бытовой техники
  • Солнечных батареях
  • Электроприводах
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG018N60E-GE3

Техническая документация

SIHG018N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории