Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3
;
SIHG050N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG050N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1947.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG050N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтронным каналом от компании Vishay Siliconix. Этот тип MOSFET предназначен для применения в высоковольтных и мощных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение ввода: 600В
    • Номинальный ток ввода: 51А
    • Тип корпуса: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долгий срок службы
    • Малый сопротивление при включении
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к шуму и помехам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокого тепловыделения
    • Высокие затраты на производство и стоимость
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных преобразователях напряжения и тока
    • Применение в инверторах и других устройствах управления мощностью
    • Работа в источниках питания для серверов и сетевого оборудования

Данный MOSFET широко применяется в различных устройствах, требующих высокой мощности и надежности, таких как:

  • Системы управления двигателем
  • Инверторы для переменного тока
  • Источники питания для серверного оборудования
  • Автомобильные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG050N60E-GE3

Техническая документация

SIHG050N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 521 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 947 ₽
  • 10
    1 345 ₽
  • 100
    1 180 ₽
  • 500
    1 115 ₽
  • 1000
    910 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG050N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1947.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG050N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтронным каналом от компании Vishay Siliconix. Этот тип MOSFET предназначен для применения в высоковольтных и мощных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение ввода: 600В
    • Номинальный ток ввода: 51А
    • Тип корпуса: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долгий срок службы
    • Малый сопротивление при включении
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к шуму и помехам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокого тепловыделения
    • Высокие затраты на производство и стоимость
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных преобразователях напряжения и тока
    • Применение в инверторах и других устройствах управления мощностью
    • Работа в источниках питания для серверов и сетевого оборудования

Данный MOSFET широко применяется в различных устройствах, требующих высокой мощности и надежности, таких как:

  • Системы управления двигателем
  • Инверторы для переменного тока
  • Источники питания для серверного оборудования
  • Автомобильные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG050N60E-GE3

Техническая документация

SIHG050N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории