Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG068N60EF-GE3

SIHG068N60EF-GE3

SIHG068N60EF-GE3
;
SIHG068N60EF-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG068N60EF-GE3 при покупке от 1 шт 1245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG068N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG068N60EF-GE3

SIHG068N60EF-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный полупроводниковый транзистор) производства Vishay Siliconix. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS(on)): 600В
  • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 41А
  • Тип корпуса: TO247AC

Плюсы:

  • Высокая мощность и надежность
  • Компактный корпус TO247AC для эффективного охлаждения
  • Низкий коэффициент сопротивления при прохождении тока
  • Устойчивость к шумам и помехам

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
  • Требует точного подбора теплоотвода для обеспечения стабильной работы

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных источниках питания
  • Применение в системах управления двигателей
  • Работа в источниках питания для серверов и коммутационного оборудования
  • Трансформаторные блоки питания

Эти MOSFETы широко используются в устройствах, требующих высокой мощности и надежности, таких как серверы, коммутационное оборудование, промышленные системы и высоковольтные источники питания.

Выбрано: Показать

Характеристики SIHG068N60EF-GE3

Техническая документация

SIHG068N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 952 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 245 ₽
  • 10
    839 ₽
  • 100
    610 ₽
  • 500
    522 ₽
  • 1000
    504 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG068N60EF-GE3 при покупке от 1 шт 1245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG068N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG068N60EF-GE3

SIHG068N60EF-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный полупроводниковый транзистор) производства Vishay Siliconix. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS(on)): 600В
  • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 41А
  • Тип корпуса: TO247AC

Плюсы:

  • Высокая мощность и надежность
  • Компактный корпус TO247AC для эффективного охлаждения
  • Низкий коэффициент сопротивления при прохождении тока
  • Устойчивость к шумам и помехам

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
  • Требует точного подбора теплоотвода для обеспечения стабильной работы

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных источниках питания
  • Применение в системах управления двигателей
  • Работа в источниках питания для серверов и коммутационного оборудования
  • Трансформаторные блоки питания

Эти MOSFETы широко используются в устройствах, требующих высокой мощности и надежности, таких как серверы, коммутационное оборудование, промышленные системы и высоковольтные источники питания.

Выбрано: Показать

Характеристики SIHG068N60EF-GE3

Техническая документация

SIHG068N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории