Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3
;
SIHG11N80AE-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG11N80AE-GE3 при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG11N80AE-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 800В
    • Номинальная токовая способность (ID): 8А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый коэффициент теплового сопротивления
    • Высокий КПД в электрических цепях
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Ограничение тока в цепях
    • Использование в преобразователях мощности
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG11N80AE-GE3

Техническая документация

SIHG11N80AE-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 474 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    574 ₽
  • 10
    419 ₽
  • 100
    292 ₽
  • 500
    261 ₽
  • 1000
    225 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG11N80AE-GE3 при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG11N80AE-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 800В
    • Номинальная токовая способность (ID): 8А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый коэффициент теплового сопротивления
    • Высокий КПД в электрических цепях
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Ограничение тока в цепях
    • Использование в преобразователях мощности
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG11N80AE-GE3

Техническая документация

SIHG11N80AE-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории