Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3
;
SIHG11N80E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG11N80E-GE3 при покупке от 1 шт 1669.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG11N80E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG11N80E-GE3

Разрешенные MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

  • Маркировка: SIHG11N80E-GE3
  • Производитель: Vishay / Siliconix

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение на дренаже (VDS(on)): 800В
  • Ток дrain (ID): 12А
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Пакет: TO247AC

Плюсы:

  • Высокое напряжение срабатывания (800В).
  • Высокая токовая способность (12А).
  • Устойчивость к перегреву.
  • Доступность и экономичность.

Минусы:

  • Значительный тепловой поток требует дополнительного охлаждения.
  • Существуют более современные решения с аналогичными характеристиками.

Общее назначение:

  • Использование в электронных системах управления мощностью.
  • Применение в источниках питания.
  • Изготовление преобразователей напряжения.
  • Стабилизация напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Компьютеры и серверы.
  • Телевизоры и мониторы.
  • Блоки питания для различных устройств.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG11N80E-GE3

Техническая документация

SIHG11N80E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 456 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 669 ₽
  • 10
    1 438 ₽
  • 100
    1 432 ₽
  • 500
    363 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG11N80E-GE3 при покупке от 1 шт 1669.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG11N80E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG11N80E-GE3

Разрешенные MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

  • Маркировка: SIHG11N80E-GE3
  • Производитель: Vishay / Siliconix

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение на дренаже (VDS(on)): 800В
  • Ток дrain (ID): 12А
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Пакет: TO247AC

Плюсы:

  • Высокое напряжение срабатывания (800В).
  • Высокая токовая способность (12А).
  • Устойчивость к перегреву.
  • Доступность и экономичность.

Минусы:

  • Значительный тепловой поток требует дополнительного охлаждения.
  • Существуют более современные решения с аналогичными характеристиками.

Общее назначение:

  • Использование в электронных системах управления мощностью.
  • Применение в источниках питания.
  • Изготовление преобразователей напряжения.
  • Стабилизация напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Компьютеры и серверы.
  • Телевизоры и мониторы.
  • Блоки питания для различных устройств.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG11N80E-GE3

Техническая документация

SIHG11N80E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории