Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG125N60EF-GE3

SIHG125N60EF-GE3

SIHG125N60EF-GE3
;
SIHG125N60EF-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG125N60EF-GE3 при покупке от 1 шт 945.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG125N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG125N60EF-GE3

SIHG125N60EF-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с номинальным напряжением разрыва 600В и током стока 25А. Элемент предназначен для работы в корпусе TO247AC.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение разрыва (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток стока (ID(on)): 25А
    • Корпус: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый коэффициент динамического сопротивления (RDS(on))
    • Высокая скорость переключения
    • Работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными элементами
    • Требуются дополнительные меры охлаждения при работе под нагрузкой
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателем
    • Устройствах с высокими требованиями к надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных системах управления
    • Системах энергоснабжения зданий
    • Мощных преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG125N60EF-GE3

Техническая документация

SIHG125N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 503 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    945 ₽
  • 10
    561 ₽
  • 500
    528 ₽
  • 1000
    408 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG125N60EF-GE3 при покупке от 1 шт 945.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG125N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG125N60EF-GE3

SIHG125N60EF-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с номинальным напряжением разрыва 600В и током стока 25А. Элемент предназначен для работы в корпусе TO247AC.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение разрыва (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток стока (ID(on)): 25А
    • Корпус: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый коэффициент динамического сопротивления (RDS(on))
    • Высокая скорость переключения
    • Работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными элементами
    • Требуются дополнительные меры охлаждения при работе под нагрузкой
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателем
    • Устройствах с высокими требованиями к надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных системах управления
    • Системах энергоснабжения зданий
    • Мощных преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG125N60EF-GE3

Техническая документация

SIHG125N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории