Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3
;
SIHG21N60EF-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG21N60EF-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG21N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3 — это MOSFET N-канальный типа с напряжением срабатывания 600В и током пропускания 21А, корпус TO247AC.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 2.5В
    • Ток пропускания (ID(on)): 21А
    • Напряжение отключения (VDS(max)): 600В
    • Температурный диапазон работы: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Малый ток течения при отключенном состоянии
    • Низкая динамическая резистанция
    • Удобство использования в различных приложениях благодаря универсальному корпусу TO247AC
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными MOSFET
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах и температурах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях частоты
    • Работа в схемах управления двигателей
    • Использование в системах защиты и регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Источники питания для бытовой техники
    • Промышленные преобразователи и инверторы
    • Системы управления электродвигателями
    • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG21N60EF-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    176mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    84 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2030 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    227W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SIHG21

Техническая документация

SIHG21N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG21N60EF-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG21N60EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3 — это MOSFET N-канальный типа с напряжением срабатывания 600В и током пропускания 21А, корпус TO247AC.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 2.5В
    • Ток пропускания (ID(on)): 21А
    • Напряжение отключения (VDS(max)): 600В
    • Температурный диапазон работы: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Малый ток течения при отключенном состоянии
    • Низкая динамическая резистанция
    • Удобство использования в различных приложениях благодаря универсальному корпусу TO247AC
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными MOSFET
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах и температурах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях частоты
    • Работа в схемах управления двигателей
    • Использование в системах защиты и регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Источники питания для бытовой техники
    • Промышленные преобразователи и инверторы
    • Системы управления электродвигателями
    • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG21N60EF-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    176mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    84 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2030 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    227W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SIHG21

Техническая документация

SIHG21N60EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории