Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3
;
SIHG21N65EF-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG21N65EF-GE3 при покупке от 1 шт 932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG21N65EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3 VISHAY MOSFET N-ЧЕРНЯВЫЙ 650В 21А TO247AC

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Уровень напряжения (VDS(on)): 650 В
    • Максимальная токовая способность (ID): 21 А
    • Контейнер: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Низкое сопротивление при включенном состоянии (RDS(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие затраты энергии на управление
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления электропитанием
    • Работа в инверторах и преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Питание серверных систем
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG21N65EF-GE3

Техническая документация

SIHG21N65EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 360 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    932 ₽
  • 10
    703 ₽
  • 100
    569 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG21N65EF-GE3 при покупке от 1 шт 932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG21N65EF-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3 VISHAY MOSFET N-ЧЕРНЯВЫЙ 650В 21А TO247AC

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Уровень напряжения (VDS(on)): 650 В
    • Максимальная токовая способность (ID): 21 А
    • Контейнер: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Низкое сопротивление при включенном состоянии (RDS(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие затраты энергии на управление
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления электропитанием
    • Работа в инверторах и преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Питание серверных систем
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG21N65EF-GE3

Техническая документация

SIHG21N65EF-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории