Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3
;
SIHG22N60AE-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG22N60AE-GE3 при покупке от 1 шт 934.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG22N60AE-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3 — это N-канальный MOSFET от производителя Vishay / Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 600В
  • Номинальный ток проводимости (ID): 20А
  • Тип корпуса: TO247AC

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность: благодаря использованию качественных материалов и технологии производства.
  • Малый сопротивление при включении (RDS(on)): обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Высокий коэффициент переключения: позволяет быстрому переключению между режимами включения и выключения.
  • Размеры корпуса: TO247AC обеспечивают надежное теплоотведение.

Минусы:

  • Высокие цены: по сравнению с другими типами MOSFET.
  • Требуется дополнительное охлаждение: особенно при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Драйверы двигателей: для управления электродвигателями в промышленных и бытовых приборах.
  • Питание электроники: в системах управления, преобразователях мощности.
  • Беспроводная связь: в устройствах с радиочастотным управлением.

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Бытовой технике
  • Системах управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG22N60AE-GE3

Техническая документация

SIHG22N60AE-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 298 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    934 ₽
  • 10
    621 ₽
  • 100
    485 ₽
  • 500
    356 ₽
  • 1000
    333 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG22N60AE-GE3 при покупке от 1 шт 934.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG22N60AE-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3 — это N-канальный MOSFET от производителя Vishay / Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 600В
  • Номинальный ток проводимости (ID): 20А
  • Тип корпуса: TO247AC

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность: благодаря использованию качественных материалов и технологии производства.
  • Малый сопротивление при включении (RDS(on)): обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Высокий коэффициент переключения: позволяет быстрому переключению между режимами включения и выключения.
  • Размеры корпуса: TO247AC обеспечивают надежное теплоотведение.

Минусы:

  • Высокие цены: по сравнению с другими типами MOSFET.
  • Требуется дополнительное охлаждение: особенно при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Драйверы двигателей: для управления электродвигателями в промышленных и бытовых приборах.
  • Питание электроники: в системах управления, преобразователях мощности.
  • Беспроводная связь: в устройствах с радиочастотным управлением.

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Бытовой технике
  • Системах управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG22N60AE-GE3

Техническая документация

SIHG22N60AE-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории