Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3
;
SIHG25N50E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG25N50E-GE3 при покупке от 1 шт 824.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG25N50E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с неблокированным каналом типа N, мощностью 500В и током тока 26А, установленный в корпусе TO247AC.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 500В
    • Ток проводимости: 26А
    • Корпус: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток потерь при высокой частоте работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое значение RDS(on)
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за возможного высокого тепловыделения
    • Не подходит для постоянных нагрузок с высоким уровнем тока
  • Общее назначение:
    • Используется в электропитании и преобразователях
    • Подходит для управления нагрузками в различных приборах
    • Способствует уменьшению энергопотерь и повышению эффективности систем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Переносные зарядные устройства
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG25N50E-GE3

Техническая документация

SIHG25N50E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 370 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    824 ₽
  • 10
    741 ₽
  • 100
    609 ₽
  • 500
    516 ₽
  • 1000
    413 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG25N50E-GE3 при покупке от 1 шт 824.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG25N50E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с неблокированным каналом типа N, мощностью 500В и током тока 26А, установленный в корпусе TO247AC.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 500В
    • Ток проводимости: 26А
    • Корпус: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток потерь при высокой частоте работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое значение RDS(on)
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за возможного высокого тепловыделения
    • Не подходит для постоянных нагрузок с высоким уровнем тока
  • Общее назначение:
    • Используется в электропитании и преобразователях
    • Подходит для управления нагрузками в различных приборах
    • Способствует уменьшению энергопотерь и повышению эффективности систем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Переносные зарядные устройства
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG25N50E-GE3

Техническая документация

SIHG25N50E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории