SIHG73N60AE-GE3

SIHG73N60AE-GE3 — это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) с неблокируемым каналом типа N, работающий при напряжении до 600В и токе до 60А. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, требующих высоковольтной и высокотоковой передачи энергии.

• Основные параметры:
• Напряжение операции V_DS: 600В
• Ток при максимальном напряжении V_DS = 10В I_D: 60А
• Тип канала: N-канальный
• Пакет: TO247AC

• Плюсы:
• Высокая мощность и надежность
• Малый размер и легкость
• Высокая скорость переключения
• Простота интеграции в системы

• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Могут быть ограничения по рабочей температуре
• Некоторые модели могут иметь высокую емкость заряда

Общее назначение: Используется в источниках питания, преобразователях энергии, системах управления двигателем и других приложениях, где требуется высоковольтная и высокотоковая передача энергии.

• В каких устройствах применяется:
• Источники питания
• Преобразователи энергии (например, блоки питания)
• Системы управления двигателем
• Автомобильные системы
• Промышленное оборудование