SIHG80N60EF-GE3

SIHG80N60EF-GE3 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с напряжением срабатывания 600В и током тока 80А. Комплектация TO247AC означает корпус TO247 с контактным диэлектрическим покрытием.

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET
• Напряжение срабатывания (V_GS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET его значение находится около 4-5В
• Номинальный ток тока (I_D(on)): 80А
• Напряжение срабатывания (V_DS): 600В
• Корпус: TO247AC
• Плюсы:
• Высокая conductive эффективность при работе в режиме проводника
• Низкий ток течения при отключенном состоянии
• Высокая надежность и долговечность
• Малый размер и легкость за счет компактного корпуса TO247AC
• Минусы:
• Уязвимость к перенапряжению без дополнительной защиты
• Требуется правильная проектировка системы охлаждения из-за возможного нагрева при работе
• Общее назначение:
• Использование в электронных устройствах, требующих управления токами до 80А с напряжением до 600В
• Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, инверторах, преобразователях частоты и амплитуды
• Используется в системах управления двигателей и в трансиверах
• В каких устройствах применяется:
• Источники питания для компьютеров, серверов и прочего оборудования
• Автомобильные электронные системы
• Промышленные преобразователи энергии
• Системы управления двигателей
• Мощные преобразователи частоты и амплитуды