Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHH070N60EF-T1GE3

SIHH070N60EF-T1GE3

SIHH070N60EF-T1GE3
;
SIHH070N60EF-T1GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHH070N60EF-T1GE3 при покупке от 1 шт 1271.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH070N60EF-T1GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH070N60EF-T1GE3

SIHH070N60EF-T1GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Vishay Siliconix с характеристиками:

  • Номинальное напряжение вдоль канала VDS(on): 600В
  • Ток при VDS(on) = 25°C ID: 36А
  • Пакет: PPAK 8x8

Основные преимущества:

  • Высокая надежность благодаря использованию качественных материалов и технологий производства.
  • Эффективность работы благодаря низкому коэффициенту транс conductance (RD(on)) и низкой скорости перехода.
  • Устойчивость к перегреву благодаря хорошей теплопроводности пакета.

Основные недостатки:

  • Высокая цена по сравнению с другими типами MOSFET.
  • Ограниченная площадь пакета PPAK 8x8 может ограничивать использование при очень больших токах.

Общее назначение: SIHH070N60EF-T1GE3 используется в различных приложениях, требующих высокого тока и напряжения, таких как:

  • Автомобильные системы питания и управления двигателем.
  • Источники питания для бытовой техники и серверных систем.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH070N60EF-T1GE3

Техническая документация

SIHH070N60EF-T1GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 271 ₽
  • 10
    1 045 ₽
  • 100
    890 ₽
  • 3000
    727 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHH070N60EF-T1GE3 при покупке от 1 шт 1271.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH070N60EF-T1GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH070N60EF-T1GE3

SIHH070N60EF-T1GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Vishay Siliconix с характеристиками:

  • Номинальное напряжение вдоль канала VDS(on): 600В
  • Ток при VDS(on) = 25°C ID: 36А
  • Пакет: PPAK 8x8

Основные преимущества:

  • Высокая надежность благодаря использованию качественных материалов и технологий производства.
  • Эффективность работы благодаря низкому коэффициенту транс conductance (RD(on)) и низкой скорости перехода.
  • Устойчивость к перегреву благодаря хорошей теплопроводности пакета.

Основные недостатки:

  • Высокая цена по сравнению с другими типами MOSFET.
  • Ограниченная площадь пакета PPAK 8x8 может ограничивать использование при очень больших токах.

Общее назначение: SIHH070N60EF-T1GE3 используется в различных приложениях, требующих высокого тока и напряжения, таких как:

  • Автомобильные системы питания и управления двигателем.
  • Источники питания для бытовой техники и серверных систем.
  • Промышленное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH070N60EF-T1GE3

Техническая документация

SIHH070N60EF-T1GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории