Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHH11N60EF-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3
;
SIHH11N60EF-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHH11N60EF-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8Все характеристики

Минимальная цена SIHH11N60EF-T1-GE3 при покупке от 1 шт 917.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH11N60EF-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный с низким напряжением включенного состояния) производства Vishay Siliconix. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 600В
  • Максимальный ток дrain (ID(max)): 11А
  • Форм-фактор: PPAK (8x8 мм)

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильная работа при больших напряжениях и токах.
  • Уменьшенное напряжение включения, что улучшает эффективность работы.
  • Малый размер и легкость, что удобно для компактных устройств.
  • Хорошая термическая стабильность.

Минусы:

  • Высокие потери при работе в условиях высокой частоты.
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление большим током при высоком напряжении.
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях энергии, электроприводах и других системах.

Применяется в:

  • Источниках питания для компьютеров и серверов.
  • Автомобильных системах питания и управления.
  • Преобразователях энергии для бытовой техники.
  • Электроприводах и системах управления движением.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH11N60EF-T1-GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    357mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    62 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1078 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    114W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 8 x 8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    SIHH11

Техническая документация

 SIHH11N60EF-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1405 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    917 ₽
  • 10
    608 ₽
  • 100
    432 ₽
  • 500
    408 ₽
  • 3000
    333 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHH11N60EF-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8Все характеристики

Минимальная цена SIHH11N60EF-T1-GE3 при покупке от 1 шт 917.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH11N60EF-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный с низким напряжением включенного состояния) производства Vishay Siliconix. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 600В
  • Максимальный ток дrain (ID(max)): 11А
  • Форм-фактор: PPAK (8x8 мм)

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильная работа при больших напряжениях и токах.
  • Уменьшенное напряжение включения, что улучшает эффективность работы.
  • Малый размер и легкость, что удобно для компактных устройств.
  • Хорошая термическая стабильность.

Минусы:

  • Высокие потери при работе в условиях высокой частоты.
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление большим током при высоком напряжении.
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях энергии, электроприводах и других системах.

Применяется в:

  • Источниках питания для компьютеров и серверов.
  • Автомобильных системах питания и управления.
  • Преобразователях энергии для бытовой техники.
  • Электроприводах и системах управления движением.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH11N60EF-T1-GE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    357mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    62 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1078 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    114W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 8 x 8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    SIHH11

Техническая документация

 SIHH11N60EF-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS7088N7MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
    429Кешбэк 64 балла
    HUF75637S3STMOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
    314Кешбэк 47 баллов
    FCP4N60MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
    308Кешбэк 46 баллов
    FDPF44N25TRDTUMOSFET N-CH 250V 44A TO220F
    351Кешбэк 52 балла
    FQI4N90TUPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
    325Кешбэк 48 баллов
    FQPF6N40CFMOSFET N-CH 400V 6A TO220F
    176Кешбэк 26 баллов
    FDAF75N28MOSFET N-CH 280V 46A TO3PF
    680Кешбэк 102 балла
    FQI4N80TUMOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
    288Кешбэк 43 балла
    FQN1N50CBUMOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
    65Кешбэк 9 баллов
    FQU1N50TUMOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
    49Кешбэк 7 баллов
    HUF76013D3SMOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
    67Кешбэк 10 баллов
    HUF75321S3SMOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
    118Кешбэк 17 баллов
    FQP7P20MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3
    176Кешбэк 26 баллов
    FDU6512AMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
    177Кешбэк 26 баллов
    FQP44N08MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
    181Кешбэк 27 баллов
    FQI3N30TUMOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
    136Кешбэк 20 баллов
    FDAF62N28MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF
    547Кешбэк 82 балла
    HUF75925D3STMOSFET N-CH 200V 11A TO252AA
    99Кешбэк 14 баллов
    HUF75631S3SN CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
    207Кешбэк 31 балл
    HUF76645P3MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
    429Кешбэк 64 балла
    FQI10N20CTUMOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
    110Кешбэк 16 баллов
    HUF75321D3MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
    80Кешбэк 12 баллов
    FQA90N10V2MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
    713Кешбэк 106 баллов
    FDPF10N50FTMOSFET N-CH 500V 9A TO220F
    237Кешбэк 35 баллов
    FQPF7N80CMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
    332Кешбэк 49 баллов
    2SK4085LS-1EMOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS
    299Кешбэк 44 балла
    FQI3P20TUMOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
    222Кешбэк 33 балла
    FQI2P25TUMOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
    222Кешбэк 33 балла
    FQI5N80TUMOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK
    198Кешбэк 29 баллов
    FDMS8848NZMOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
    278Кешбэк 41 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторные модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы специального назначения
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП