Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3
;
SIHH120N60E-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHH120N60E-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1154.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH120N60E-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3 — это MOSFET (MOS-FET) с низким уровнем сопротивления канала типа N с напряжением блокировки 600В. Пакет MOSFETа — PPAK 8x8.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS) - 600В
    • Ток прямого тока (ID) - 24А
    • Пакет - PPAK 8x8
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому временам перехода
    • Низкое сопротивление канала, что уменьшает потери энергии при работе
    • Стабильная работа при различных температурах
    • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета PPAK
  • Минусы:
    • Средний уровень надежности по сравнению с традиционными MOSFETами
    • Требует специальных мер охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение: MOSFET SIHH120N60E-T1-GE3 используется для управления током в различных электронных устройствах, требующих высокой мощности и быстрой скорости переключения. Он подходит для применения в инверторах питания, преобразователях напряжения, электрических машинах и других устройствах, где требуется высокая степень регулирования тока.

Применяется в:

  • Инверторах питания
  • Преобразователях напряжения
  • Электрических машинах
  • Автомобильной электронике
  • Рекреационном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH120N60E-T1-GE3

Техническая документация

SIHH120N60E-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1993 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 154 ₽
  • 10
    719 ₽
  • 100
    648 ₽
  • 500
    541 ₽
  • 3000
    371 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHH120N60E-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1154.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH120N60E-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3 — это MOSFET (MOS-FET) с низким уровнем сопротивления канала типа N с напряжением блокировки 600В. Пакет MOSFETа — PPAK 8x8.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS) - 600В
    • Ток прямого тока (ID) - 24А
    • Пакет - PPAK 8x8
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому временам перехода
    • Низкое сопротивление канала, что уменьшает потери энергии при работе
    • Стабильная работа при различных температурах
    • Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета PPAK
  • Минусы:
    • Средний уровень надежности по сравнению с традиционными MOSFETами
    • Требует специальных мер охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение: MOSFET SIHH120N60E-T1-GE3 используется для управления током в различных электронных устройствах, требующих высокой мощности и быстрой скорости переключения. Он подходит для применения в инверторах питания, преобразователях напряжения, электрических машинах и других устройствах, где требуется высокая степень регулирования тока.

Применяется в:

  • Инверторах питания
  • Преобразователях напряжения
  • Электрических машинах
  • Автомобильной электронике
  • Рекреационном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH120N60E-T1-GE3

Техническая документация

SIHH120N60E-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории