Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHH180N60E-T1-GE3

SIHH180N60E-T1-GE3

SIHH180N60E-T1-GE3
;
SIHH180N60E-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHH180N60E-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1045.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH180N60E-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH180N60E-T1-GE3

SIHH180N60E-T1-GE3 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) с небиполярным каналом от компании Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 18 V
  • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 600 V
  • Номинальная токовая способность (ID): 19 A
  • Пакет: PPAK 8 x 8

Плюсы:

  • Высокое напряжение блокировки (600 V)
  • Высокая токовая способность (19 A)
  • Устойчивость к шуму
  • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету PPAK

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Возможны проблемы с управлением при очень высоких частотах

Общее назначение: MOSFET SIHH180N60E-T1-GE3 используется для управления токами в различных электронных устройствах и системах, где требуется высокая токовая способность и напряжение блокировки. Он подходит для применения в:

  • Инверторах и преобразователях напряжения
  • Приводах двигателей
  • Автомобильных системах
  • Системах управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH180N60E-T1-GE3

Техническая документация

SIHH180N60E-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2010 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 045 ₽
  • 10
    645 ₽
  • 100
    548 ₽
  • 500
    522 ₽
  • 1000
    511 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHH180N60E-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1045.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH180N60E-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH180N60E-T1-GE3

SIHH180N60E-T1-GE3 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) с небиполярным каналом от компании Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 18 V
  • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 600 V
  • Номинальная токовая способность (ID): 19 A
  • Пакет: PPAK 8 x 8

Плюсы:

  • Высокое напряжение блокировки (600 V)
  • Высокая токовая способность (19 A)
  • Устойчивость к шуму
  • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету PPAK

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Возможны проблемы с управлением при очень высоких частотах

Общее назначение: MOSFET SIHH180N60E-T1-GE3 используется для управления токами в различных электронных устройствах и системах, где требуется высокая токовая способность и напряжение блокировки. Он подходит для применения в:

  • Инверторах и преобразователях напряжения
  • Приводах двигателей
  • Автомобильных системах
  • Системах управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH180N60E-T1-GE3

Техническая документация

SIHH180N60E-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории