Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHH21N60E-T1-GE3

SIHH21N60E-T1-GE3

SIHH21N60E-T1-GE3
;
SIHH21N60E-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHH21N60E-T1-GE3 при покупке от 1 шт 932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH21N60E-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH21N60E-T1-GE3

SIHH21N60E-T1-GE3 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) N-канального типа от компании Vishay Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 600В
  • Ток при номинальном напряжении (ID): 20А
  • Форм-фактор: PPAK 8x8 мм

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию качественных материалов и производственным процессам.
  • Малый размер и легкость для интеграции в разнообразные электронные устройства.
  • Низкое сопротивление в ON-состоянии, что уменьшает потери энергии.

Минусы:

  • Высокие токи требуют внимания к охлаждению.
  • Высокое напряжение может потребовать дополнительных мер защиты.

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется управление высокими токами при низком сопротивлении в ON-состоянии. Это может включать:

  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH21N60E-T1-GE3

Техническая документация

SIHH21N60E-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    932 ₽
  • 10
    646 ₽
  • 100
    497 ₽
  • 500
    442 ₽
  • 3000
    361 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHH21N60E-T1-GE3 при покупке от 1 шт 932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHH21N60E-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHH21N60E-T1-GE3

SIHH21N60E-T1-GE3 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) N-канального типа от компании Vishay Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 600В
  • Ток при номинальном напряжении (ID): 20А
  • Форм-фактор: PPAK 8x8 мм

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию качественных материалов и производственным процессам.
  • Малый размер и легкость для интеграции в разнообразные электронные устройства.
  • Низкое сопротивление в ON-состоянии, что уменьшает потери энергии.

Минусы:

  • Высокие токи требуют внимания к охлаждению.
  • Высокое напряжение может потребовать дополнительных мер защиты.

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется управление высокими токами при низком сопротивлении в ON-состоянии. Это может включать:

  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики SIHH21N60E-T1-GE3

Техническая документация

SIHH21N60E-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории