Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SIHP080N60E-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3
;
SIHP080N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHP080N60E-GE3
  • Описание:
    E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,Все характеристики

Минимальная цена SIHP080N60E-GE3 при покупке от 1 шт 899.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP080N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET TO-220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток пропускания (ID): 80 А
  • Максимальное напряжение на дренаже (VDS): 60 В
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
  • Малый ток утечки
  • Высокий коэффициент передачи
  • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами MOSFET
  • Требует дополнительного охлаждения для высоких мощностей
  • Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих высоких токов и напряжений, таких как:
    • Автомобильные системы питания
  • Инверторы
  • Регуляторы напряжения
  • Приводы двигателей
  • Системы управления мощностью
  • Выбрано: Показать

    Характеристики SIHP080N60E-GE3

    • Package
      Tube
    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      600 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      35A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      80mOhm @ 17A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      5V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      63 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±30V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      2557 pF @ 100 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      227W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Through Hole
    • Исполнение корпуса
      TO-220AB
    • Корпус
      TO-220-3

    Техническая документация

     SIHP080N60E-GE3.pdf
    pdf. 0 kb
    • 1062 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      899 ₽
    • 50
      584 ₽
    • 100
      523 ₽
    • 500
      453 ₽
    • 1000
      390 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      Vishay Siliconix
    • Артикул:
      SIHP080N60E-GE3
    • Описание:
      E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,Все характеристики

    Минимальная цена SIHP080N60E-GE3 при покупке от 1 шт 899.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP080N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание SIHP080N60E-GE3

    SIHP080N60E-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET TO-220AB

    • Основные параметры:
      • Номинальный ток пропускания (ID): 80 А
    • Максимальное напряжение на дренаже (VDS): 60 В
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
  • Малый ток утечки
  • Высокий коэффициент передачи
  • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами MOSFET
  • Требует дополнительного охлаждения для высоких мощностей
  • Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих высоких токов и напряжений, таких как:
    • Автомобильные системы питания
  • Инверторы
  • Регуляторы напряжения
  • Приводы двигателей
  • Системы управления мощностью
  • Выбрано: Показать

    Характеристики SIHP080N60E-GE3

    • Package
      Tube
    • Тип полевого транзистора
      N-Channel
    • Технология
      MOSFET (Metal Oxide)
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      600 V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      35A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
      10V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      80mOhm @ 17A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      5V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      63 nC @ 10 V
    • Vgs (Max)
      ±30V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      2557 pF @ 100 V
    • Рассеивание мощности (Макс)
      227W (Tc)
    • Рабочая температура
      -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Through Hole
    • Исполнение корпуса
      TO-220AB
    • Корпус
      TO-220-3

    Техническая документация

     SIHP080N60E-GE3.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      NTMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
      309Кешбэк 46 баллов
      NVMYS3D5N04CTWGMOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
      350Кешбэк 52 балла
      STDV3055L104T4GMOSFET N-CH 60V 12A DPAK
      193Кешбэк 28 баллов
      NTMT095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
      1 584Кешбэк 237 баллов
      NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
      313Кешбэк 46 баллов
      NTLJS17D0P03P8ZTAGMOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
      172Кешбэк 25 баллов
      NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
      845Кешбэк 126 баллов
      NVMYS4D6N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
      302Кешбэк 45 баллов
      NVMFSC0D9N04CMOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
      1 032Кешбэк 154 балла
      NTMFS5113PLT1GNFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
      561Кешбэк 84 балла
      NTMFS5H630NLT1GMOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
      352Кешбэк 52 балла
      UF3C120150B7S1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
      2 127Кешбэк 319 баллов
      NVTFS014P04M8LTAGMOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
      226Кешбэк 33 балла
      CPH3331-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
      43Кешбэк 6 баллов
      NVMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
      272Кешбэк 40 баллов
      NVMFS5C682NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
      333Кешбэк 49 баллов
      NTD78N03R-001N-CHANNEL POWER MOSFET
      57Кешбэк 8 баллов
      CPH6604-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
      39Кешбэк 5 баллов
      NTMFS5C404NT1GMOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
      1 382Кешбэк 207 баллов
      NVMFS5C682NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
      226Кешбэк 33 балла
      NVTYS9D6P04M8LTWGMV8 40V LL SINGLE PCH L
      430Кешбэк 64 балла
      NTMFS022N15MCPOWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
      474Кешбэк 71 балл
      NVMFS5C670NLAFT1GMOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
      459Кешбэк 68 баллов
      NTMT090N65S3HFPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
      1 201Кешбэк 180 баллов
      NTD15N06L-1GN-CHANNEL POWER MOSFET
      35Кешбэк 5 баллов
      NVMJS1D4N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
      708Кешбэк 106 баллов
      NVMFS6H848NLT1GMOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
      302Кешбэк 45 баллов
      NVMFS5C645NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
      304Кешбэк 45 баллов
      NTD78N03R-035N-CHANNEL POWER MOSFET
      57Кешбэк 8 баллов
      NVMTS6D0N15MCPTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR A
      1 110Кешбэк 166 баллов

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
      Биполярные транзисторы - Сборки
      Диоды - ВЧ
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
      Диодные мосты - Модули
      Диоды силовые
      Триодные тиристоры - Одиночные
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Транзисторы - Специального назначения
      Тиристоры - TRIACs
      Транзисторы - IGBT - одиночные
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Высокочастотные диоды
      Триодные тиристоры - Модули
      IGBT транзисторы
      Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
      Драйверы питания - Модули
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Регулирование тока - диоды, транзисторы
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Полевые транзисторы - Сборки
      Варикапы и Варакторы
      Тиристоры - SCR - модули
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Симисторы - Модули
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Диоды выпрямительные - Модули
      Диоды - мостовые выпрямители
      Биполярные транзисторы - Одиночные
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
      Транзисторы - Модули
      Диодные мосты
      Тиристоры - SCR
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Принадлежности
      Биполярные транзисторы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      Транзисторы - IGBT - модули
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
      Диоды - выпрямители - массивы
      Модули драйверов питания
      Транзисторы - JFET
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Полевые транзисторы - Модули
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Симисторы
    Эиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП