Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3
;
SIHP12N65E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHP12N65E-GE3 при покупке от 1 шт 587.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP12N65E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-Ч 650В 12А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 4 В
    • Размеры пакета: TO220AB
    • Максимальное напряжение (VDS): 650 В
    • Максимальный ток (ID): 12 А
    • Термическое сопротивление (RthJA): ≤ 65°C/W
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое значение напряжения срабатывания
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
    • Нуждается в надежной защите от скачков напряжения
  • Общее назначение:
    • Применяется в электронных системах, требующих высокого тока и напряжения
    • Используется в преобразователях питания
    • Входит в состав инверторов и регуляторов напряжения
    • Применяется в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы снабжения электроэнергией для бытовых приборов
    • Промышленные преобразователи питания
    • Электронные устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP12N65E-GE3

Техническая документация

SIHP12N65E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 563 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    587 ₽
  • 10
    382 ₽
  • 100
    280 ₽
  • 500
    235 ₽
  • 1000
    184 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHP12N65E-GE3 при покупке от 1 шт 587.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP12N65E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-Ч 650В 12А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 4 В
    • Размеры пакета: TO220AB
    • Максимальное напряжение (VDS): 650 В
    • Максимальный ток (ID): 12 А
    • Термическое сопротивление (RthJA): ≤ 65°C/W
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое значение напряжения срабатывания
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
    • Нуждается в надежной защите от скачков напряжения
  • Общее назначение:
    • Применяется в электронных системах, требующих высокого тока и напряжения
    • Используется в преобразователях питания
    • Входит в состав инверторов и регуляторов напряжения
    • Применяется в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы снабжения электроэнергией для бытовых приборов
    • Промышленные преобразователи питания
    • Электронные устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP12N65E-GE3

Техническая документация

SIHP12N65E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории