Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SIHP240N60E-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHP240N60E-GE3

SIHP240N60E-GE3

SIHP240N60E-GE3
;
SIHP240N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHP240N60E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена SIHP240N60E-GE3 при покупке от 1 шт 413.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP240N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP240N60E-GE3

SIHP240N60E-GE3 — это MOSFET N-канального типа от компании Vishay Siliconix. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 600В
  • Максимальная токовая способность ID: 12А
  • Тип корпуса: TO220AB

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Эффективное управление при больших нагрузках
  • Компактный размер корпуса для удобства установки

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при работе с максимальными токами
  • Необходимость использования защитных устройств (например, шунтирующего диода)

Общее назначение:

  • Управление мощными электрическими цепями
  • Изменение направления тока в электрических цепях
  • Регулировка частоты в электронных устройствах

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Питательных блоках
  • Инверторах
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP240N60E-GE3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    795 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SIHP240

Техническая документация

 SIHP240N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 159 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    413 ₽
  • 50
    275 ₽
  • 100
    274 ₽
  • 500
    253 ₽
  • 1000
    234 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHP240N60E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена SIHP240N60E-GE3 при покупке от 1 шт 413.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP240N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP240N60E-GE3

SIHP240N60E-GE3 — это MOSFET N-канального типа от компании Vishay Siliconix. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 600В
  • Максимальная токовая способность ID: 12А
  • Тип корпуса: TO220AB

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Эффективное управление при больших нагрузках
  • Компактный размер корпуса для удобства установки

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при работе с максимальными токами
  • Необходимость использования защитных устройств (например, шунтирующего диода)

Общее назначение:

  • Управление мощными электрическими цепями
  • Изменение направления тока в электрических цепях
  • Регулировка частоты в электронных устройствах

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Питательных блоках
  • Инверторах
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP240N60E-GE3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    795 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SIHP240

Техническая документация

 SIHP240N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSZ097N04LSGATMA1MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
    97Кешбэк 14 баллов
    IAUC90N10S5N062ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
    435Кешбэк 65 баллов
    IPD50R950CEAUMA1CONSUMER
    145Кешбэк 21 балл
    IAUZ18N10S5L420ATMA1MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
    228Кешбэк 34 балла
    BSC050N10NS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
    315Кешбэк 47 баллов
    IPN60R600P7SATMA1MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
    202Кешбэк 30 баллов
    IPB017N10N5LFATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 269Кешбэк 190 баллов
    IPC100N04S52R8ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    311Кешбэк 46 баллов
    IAUC41N06S5N102ATMA1MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
    217Кешбэк 32 балла
    ISC058N04NM5ATMA140V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
    169Кешбэк 25 баллов
    IPLK60R600PFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
    322Кешбэк 48 баллов
    IQE013N04LM6ATMA1MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
    382Кешбэк 57 баллов
    IQE008N03LM5CGATMA1TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
    500Кешбэк 75 баллов
    BSC014N04LSTATMA1MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
    383Кешбэк 57 баллов
    IPD079N06L3GATMA1MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
    289Кешбэк 43 балла
    BSC360N15NS3GATMA1MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
    443Кешбэк 66 баллов
    BSZ0994NSATMA1MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
    182Кешбэк 27 баллов
    BSS126IXTSA1MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
    63Кешбэк 9 баллов
    BSC600N25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
    698Кешбэк 104 балла
    IPT60R022S7XTMA1MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
    1 899Кешбэк 284 балла
    BSC060N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
    313Кешбэк 46 баллов
    IAUC100N04S6N022ATMA1IAUC100N04S6N022ATMA1
    287Кешбэк 43 балла
    IPB108N15N3GATMA1MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
    760Кешбэк 114 баллов
    BSZ16DN25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
    408Кешбэк 61 балл
    BSC060P03NS3EGATMA1MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
    272Кешбэк 40 баллов
    IPU60R2K1CEAKMA1CONSUMER
    146Кешбэк 21 балл
    BSC0902NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
    170Кешбэк 25 баллов
    IPB200N25N3GATMA1MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
    1 260Кешбэк 189 баллов
    IPC100N04S5L1R1ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    476Кешбэк 71 балл
    IPL60R095CFD7AUMA1MOSFET N CH
    780Кешбэк 117 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП