Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3
;
SIHP35N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHP35N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP35N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 600В 32А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размерный ток (ID(on)): 32А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтажный корпус: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое значение тока включенного состояния (VDS(on))
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Стоимость выше, чем у некоторых других типов транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателем
    • Компоненты в схемах преобразования напряжения
    • Другие приборы, требующие точного управления током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Приборах для домашнего использования
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных устройствах, где требуется эффективное управление током
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP35N60E-GE3

Техническая документация

SIHP35N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 760 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 184 ₽
  • 10
    906 ₽
  • 100
    734 ₽
  • 500
    652 ₽
  • 1000
    504 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHP35N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP35N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 600В 32А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размерный ток (ID(on)): 32А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтажный корпус: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое значение тока включенного состояния (VDS(on))
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Стоимость выше, чем у некоторых других типов транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателем
    • Компоненты в схемах преобразования напряжения
    • Другие приборы, требующие точного управления током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Приборах для домашнего использования
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных устройствах, где требуется эффективное управление током
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP35N60E-GE3

Техническая документация

SIHP35N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории