Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3
;
SIHU4N80E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHU4N80E-GE3 при покупке от 17 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHU4N80E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3 Siliconix - Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 800В
    • Номинальный ток пропускаемый каналом: 4.3А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: IPAK (инкавентерный пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
    • Малое сопротивление при прохождении тока
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного радиатора для охлаждения при высоких нагрузках
    • Не рекомендуется для применения в условиях высоких температур без охлаждения
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, требующих управления током
    • Подходит для преобразователей напряжения и частоты
    • Применяется в системах питания и управления энергоснабжением
    • Способствует уменьшению размеров и веса устройств благодаря своей компактности
  • В каких устройствах применяется:
    • Передатчики и приемники беспроводной связи
    • Автомобильные системы управления
    • Преобразователи напряжения
    • Драйверы двигателей
    • Устройства управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики SIHU4N80E-GE3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.27Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    622 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    69W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    IPAK (TO-251)
  • Корпус
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • Base Product Number
    SIHU4

Техническая документация

SIHU4N80E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 17 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHU4N80E-GE3 при покупке от 17 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHU4N80E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3 Siliconix - Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 800В
    • Номинальный ток пропускаемый каналом: 4.3А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: IPAK (инкавентерный пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
    • Малое сопротивление при прохождении тока
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного радиатора для охлаждения при высоких нагрузках
    • Не рекомендуется для применения в условиях высоких температур без охлаждения
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, требующих управления током
    • Подходит для преобразователей напряжения и частоты
    • Применяется в системах питания и управления энергоснабжением
    • Способствует уменьшению размеров и веса устройств благодаря своей компактности
  • В каких устройствах применяется:
    • Передатчики и приемники беспроводной связи
    • Автомобильные системы управления
    • Преобразователи напряжения
    • Драйверы двигателей
    • Устройства управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики SIHU4N80E-GE3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.27Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    622 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    69W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    IPAK (TO-251)
  • Корпус
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • Base Product Number
    SIHU4

Техническая документация

SIHU4N80E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 17 шт