Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3
;
SIHW33N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHW33N60E-GE3 при покупке от 5 шт 988.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHW33N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства компании Vishay Intertechnology Inc. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение на разделяющей мембране (UDS): 600 В
  • Номинальная токовая способность (ID): 33 А
  • Тип корпуса: TO247AD

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Малый коэффициент включения (ton) и высокая скорость отключения (toff)
  • Низкое значение тока дrain-source в отключенном состоянии (RDson)
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с аналогичными MOSFETами других производителей
  • Необходимость использования дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокий уровень надежности и точности управления током. Основные области применения включают:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Инверторы для промышленного оборудования
  • Системы питания для электронных устройств
  • Приводы для двигателей
  • Адаптеры питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHW33N60E-GE3

Техническая документация

SIHW33N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 272 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 5 шт
  • Количество
    Цена
  • 5
    988 ₽
  • 15
    898 ₽
  • 53
    831 ₽
  • 224
    741 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHW33N60E-GE3 при покупке от 5 шт 988.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHW33N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства компании Vishay Intertechnology Inc. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение на разделяющей мембране (UDS): 600 В
  • Номинальная токовая способность (ID): 33 А
  • Тип корпуса: TO247AD

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Малый коэффициент включения (ton) и высокая скорость отключения (toff)
  • Низкое значение тока дrain-source в отключенном состоянии (RDson)
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с аналогичными MOSFETами других производителей
  • Необходимость использования дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокий уровень надежности и точности управления током. Основные области применения включают:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Инверторы для промышленного оборудования
  • Системы питания для электронных устройств
  • Приводы для двигателей
  • Адаптеры питания
Выбрано: Показать

Характеристики SIHW33N60E-GE3

Техническая документация

SIHW33N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 5 шт