Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3
;
SIJ470DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIJ470DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJ470DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Размерный ток (ID): 58.8А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность
    • Малый ток утечки при открытом состоянии
    • Высокий коэффициент переключения
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Требует правильного управления для предотвращения перегрева
    • Не рекомендуется использовать при высоких частотах без соответствующего буферного контура
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах для управления токами
    • Подходит для использования в источниках питания, схемах преобразования напряжения, драйверах и других приложениях, требующих высокопроизводительных транзисторов
  • Применение:
    • Устройства с высокой мощностью
    • Автомобильные системы
    • Системы управления мощностью
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIJ470DP-T1-GE3

Техническая документация

SIJ470DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 598 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    337 ₽
  • 10
    257 ₽
  • 100
    175 ₽
  • 1000
    133 ₽
  • 6000
    109 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIJ470DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJ470DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Размерный ток (ID): 58.8А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive способность
    • Малый ток утечки при открытом состоянии
    • Высокий коэффициент переключения
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Требует правильного управления для предотвращения перегрева
    • Не рекомендуется использовать при высоких частотах без соответствующего буферного контура
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах для управления токами
    • Подходит для использования в источниках питания, схемах преобразования напряжения, драйверах и других приложениях, требующих высокопроизводительных транзисторов
  • Применение:
    • Устройства с высокой мощностью
    • Автомобильные системы
    • Системы управления мощностью
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIJ470DP-T1-GE3

Техническая документация

SIJ470DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории