Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3
;
SIJH600E-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIJH600E-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1064.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJH600E-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) производства Vishay Semiconductors. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах благодаря своим высоким характеристикам.

  • Напряжение дренажа (VDS): 60 В
  • Размеры (D-S): 175°C
  • Тип: N-канальный
  • Максимальная частота: до 20 МГц

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой.
  • Низкий транзитный сопротивление, что уменьшает потери энергии.
  • Устойчивость к перегреву, что позволяет работать при высоких температурах.

Минусы:

  • Высокое значение тока течения при высоких напряжениях, что может привести к перегреву при некорректном использовании.
  • Необходимо соблюдать требования к охлаждению, чтобы избежать перегрева.

Общее назначение:

  • Используется в стабилизаторах напряжения.
  • Применяется в инверторах и преобразователях.
  • Входит в состав управления двигателей.
  • Используется в системах управления питанием.

Этот MOSFET широко используется в устройствах, требующих высокой скорости работы и точности управления напряжением или током.

Выбрано: Показать

Характеристики SIJH600E-T1-GE3

Техническая документация

SIJH600E-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 757 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 064 ₽
  • 5
    947 ₽
  • 10
    828 ₽
  • 50
    730 ₽
  • 100
    628 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIJH600E-T1-GE3 при покупке от 1 шт 1064.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIJH600E-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) производства Vishay Semiconductors. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах благодаря своим высоким характеристикам.

  • Напряжение дренажа (VDS): 60 В
  • Размеры (D-S): 175°C
  • Тип: N-канальный
  • Максимальная частота: до 20 МГц

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой.
  • Низкий транзитный сопротивление, что уменьшает потери энергии.
  • Устойчивость к перегреву, что позволяет работать при высоких температурах.

Минусы:

  • Высокое значение тока течения при высоких напряжениях, что может привести к перегреву при некорректном использовании.
  • Необходимо соблюдать требования к охлаждению, чтобы избежать перегрева.

Общее назначение:

  • Используется в стабилизаторах напряжения.
  • Применяется в инверторах и преобразователях.
  • Входит в состав управления двигателей.
  • Используется в системах управления питанием.

Этот MOSFET широко используется в устройствах, требующих высокой скорости работы и точности управления напряжением или током.

Выбрано: Показать

Характеристики SIJH600E-T1-GE3

Техническая документация

SIJH600E-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории