Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3
;
SIR422DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIR422DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 211.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR422DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение на разделяющем канале (VGS(th)): не менее 4 В
    • Разрядной ток (ID(on)): 40 А
    • Номинальное напряжение на разделяющем канале (VGS): 40 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая способность к разрядному току (40 А)
    • Низкое напряжение на разделяющем канале (менее 4 В)
    • Малый размер и легкий вес благодаря пакету PPAK SO-8
    • Высокая надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для высокочастотных применений из-за больших транзитных времен
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах для управления токами
    • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях энергии, системах управления двигателем и др.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики SIR422DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR422DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2528 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    211 ₽
  • 5
    161 ₽
  • 10
    135 ₽
  • 25
    132 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIR422DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 211.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR422DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение на разделяющем канале (VGS(th)): не менее 4 В
    • Разрядной ток (ID(on)): 40 А
    • Номинальное напряжение на разделяющем канале (VGS): 40 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая способность к разрядному току (40 А)
    • Низкое напряжение на разделяющем канале (менее 4 В)
    • Малый размер и легкий вес благодаря пакету PPAK SO-8
    • Высокая надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для высокочастотных применений из-за больших транзитных времен
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах для управления токами
    • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях энергии, системах управления двигателем и др.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики SIR422DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR422DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории