SIR512DP-T1-RE3

Маркировка SIR512DP-T1-RE3:

• Производитель: Vishay Siliconix
• Тип: N-канальный MOSFET мощности
• Номинальное напряжение: 100 В
• Размеры: D-S (длина канала)
• Обозначение: SIR512DP-T1-RE3

Основные параметры:

• Номинальный ток: 12 А
• Рабочая температура: -40°C до +175°C
• Коэффициент сопротивления R_DS(on): 3.5 мОм (при U_DS = 10 В)

Плюсы:

• Высокое значение тока — до 12 А.
• Низкое сопротивление R_DS(on), что позволяет минимизировать потери энергии при работе.
• Высокое рабочее напряжение — 100 В.
• Широкий диапазон рабочих температур, что обеспечивает надежную работу в различных условиях.

Минусы:

• Высокие требования к проектированию — необходима точная настройка и защита системы от перегрузок и перегрева.
• Высокая стоимость по сравнению с менее мощными MOSFET.

Общее назначение:

• Управление нагрузками в электронных устройствах
• Переключение высоковольтных цепей
• Использование в системах управления двигателей
• Работа в источниках питания

В каких устройствах применяется:

• Автомобильных системах
• Электронных системах управления двигателей
• Промышленных преобразователях питания
• Системах управления потребителями электричества