SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8

• Основные параметры:
  • Номинальное напряжение: 100В
  • Номинальная токовая способность (RDS(on)) при Tj = 25°C: 95А
  • Пакет: PPAK SO-8
• Плюсы:
  • Высокая проводимость (низкий RDS(on))
  • Малый размер и легкость благодаря компактному пакету PPAK SO-8
  • Высокая надежность и стабильность характеристик
• Минусы:
  • Требует дополнительного охлаждения для работы при больших токах и высоких температурах
  • Стоимость может быть выше, чем у менее производительных аналогов
• Общее назначение:
  • Использование в источниках питания
  • Драйверах для индуктивных нагрузок
  • Буст-конвертерах и бактериальных преобразователях
  • Модулях управления двигателем
• Применение в устройствах:
  • Автомобильных системах
  • Портативных электронных устройствах
  • Устройствах с высокой плотностью мощности