Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3
;
SIR770DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIR770DP-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIR770DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 328.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR770DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение стока-набухания (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток стока (ID(on)): 8А
    • Форм-фактор: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Хорошая термическая стабильность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Необходимо внимание к проектированию радиатора для обеспечения эффективного охлаждения
    • Высокие динамические напряжения могут вызвать повреждение
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Драйверы двигателей
    • Переключаемые нагрузки
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания и управления электроприборами
    • Передатчики и приемники радиочастотных сигналов
    • Мощные цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIR770DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR770DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5222 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    328 ₽
  • 10
    207 ₽
  • 100
    138 ₽
  • 1000
    99 ₽
  • 6000
    80 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIR770DP-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIR770DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 328.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR770DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение стока-набухания (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток стока (ID(on)): 8А
    • Форм-фактор: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Хорошая термическая стабильность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Необходимо внимание к проектированию радиатора для обеспечения эффективного охлаждения
    • Высокие динамические напряжения могут вызвать повреждение
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Драйверы двигателей
    • Переключаемые нагрузки
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания и управления электроприборами
    • Передатчики и приемники радиочастотных сигналов
    • Мощные цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIR770DP-T1-GE3

Техническая документация

SIR770DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории