Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3
;
SIRA00DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRA00DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 539.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA00DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS) - 30В
    • Размерный ток (ID) - 100А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение включения
    • Малые потери при работе
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Требует наличия источника питания для заряда гейта
    • Возможны проблемы с надежностью при длительной работе под нагрузкой
  • Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах.
  • Применение:
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Усилители
    • Источники питания
    • Автомобильная электроника
    • Мощные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA00DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA00DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 143 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    539 ₽
  • 10
    350 ₽
  • 100
    243 ₽
  • 500
    200 ₽
  • 1000
    191 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRA00DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 539.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA00DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS) - 30В
    • Размерный ток (ID) - 100А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение включения
    • Малые потери при работе
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Требует наличия источника питания для заряда гейта
    • Возможны проблемы с надежностью при длительной работе под нагрузкой
  • Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах.
  • Применение:
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Усилители
    • Источники питания
    • Автомобильная электроника
    • Мощные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA00DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA00DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории