Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SIRA10BDP-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3
;
SIRA10BDP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIRA10BDP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8Все характеристики

Минимальная цена SIRA10BDP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 233.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA10BDP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Размер токового тока (RDS(on)): 30А/60А
    • Пакет: PPAK SO8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive эффективность при низком RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому тепловому сопротивлению
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному PPAK SO8 пакету
    • Высокая надежность и стабильность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений из-за высокого транзитного сопротивления
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок в системах управления
    • Дросселирование тока в источниках питания
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Источниках питания
    • Электронных системах управления
    • Телекоммуникационных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA10BDP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Ta), 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1710 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Ta), 43W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIRA10

Техническая документация

 SIRA10BDP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3818 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    233 ₽
  • 10
    158 ₽
  • 500
    78 ₽
  • 3000
    71 ₽
  • 9000
    49 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIRA10BDP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8Все характеристики

Минимальная цена SIRA10BDP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 233.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA10BDP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Размер токового тока (RDS(on)): 30А/60А
    • Пакет: PPAK SO8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive эффективность при низком RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому тепловому сопротивлению
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному PPAK SO8 пакету
    • Высокая надежность и стабильность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений из-за высокого транзитного сопротивления
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок в системах управления
    • Дросселирование тока в источниках питания
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Источниках питания
    • Электронных системах управления
    • Телекоммуникационных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA10BDP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Ta), 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1710 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Ta), 43W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIRA10

Техническая документация

 SIRA10BDP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
    463Кешбэк 69 баллов
    SI3407DV-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
    48Кешбэк 7 баллов
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    143Кешбэк 21 балл
    RJK03K6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    CPH6614-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    FDC021N30MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK1399-T2B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    41Кешбэк 6 баллов
    ISS55EP06LMXTSA1MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    HUF76105SK8TN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    3SK323UG-TL-EТранзистор: N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    2SK1589-T1B-ATSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    2SK3486-TD-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    FDA20N50MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    673Кешбэк 100 баллов
    SI3460DDV-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    122Кешбэк 18 баллов
    MTB10N40EN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    SI3430DV-T1-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    332Кешбэк 49 баллов
    IRFS614BN-CHANNEL POWER MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    SQJ464EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
    282Кешбэк 42 балла
    IRF723N-CHANNEL POWER MOSFET
    211Кешбэк 31 балл
    ISL9N310AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    HUF76121D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    119Кешбэк 17 баллов
    MTP5P25P-CHANNEL POWER MOSFET
    159Кешбэк 23 балла
    SIA483ADJ-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    RFP10P15P-CHANNEL POWER MOSFET
    489Кешбэк 73 балла
    STL9P3LLH6MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
    285Кешбэк 42 балла
    TBB1010KMTL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    IPP60R950C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
    122Кешбэк 18 баллов
    SPB80N03S2L0580A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП