Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3
;
SIRA10BDP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRA10BDP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 233.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA10BDP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Размер токового тока (RDS(on)): 30А/60А
    • Пакет: PPAK SO8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive эффективность при низком RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому тепловому сопротивлению
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному PPAK SO8 пакету
    • Высокая надежность и стабильность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений из-за высокого транзитного сопротивления
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок в системах управления
    • Дросселирование тока в источниках питания
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Источниках питания
    • Электронных системах управления
    • Телекоммуникационных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA10BDP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA10BDP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3818 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    233 ₽
  • 10
    158 ₽
  • 500
    78 ₽
  • 3000
    71 ₽
  • 9000
    49 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRA10BDP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 233.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA10BDP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Размер токового тока (RDS(on)): 30А/60А
    • Пакет: PPAK SO8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive эффективность при низком RDS(on)
    • Устойчивость к перегреву благодаря низкому тепловому сопротивлению
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному PPAK SO8 пакету
    • Высокая надежность и стабильность
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Не рекомендуется для высокочастотных применений из-за высокого транзитного сопротивления
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок в системах управления
    • Дросселирование тока в источниках питания
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Источниках питания
    • Электронных системах управления
    • Телекоммуникационных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA10BDP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA10BDP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории