Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3
;
SIRA10DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRA10DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 217.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA10DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3 от Vishay — это ненасыпной MOSFET типа N-канальный с параметрами:

  • Номинальное напряжение коллектора-;base (VCEO): 30В
  • Номинальная токовая способность (ID): 60А
  • Форм-фактор: PPAK SO-8

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и легкость в интеграции
  • Низкое значение тока дренажа
  • Высокая скорость переключения

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Необходимо соблюдать правила работы с высоким напряжением

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Блоки питания
  • Инверторы
  • Переходники

Выбрано: Показать

Характеристики SIRA10DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA10DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 8231 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    217 ₽
  • 10
    159 ₽
  • 500
    96 ₽
  • 3000
    77 ₽
  • 9000
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRA10DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 217.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA10DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3 от Vishay — это ненасыпной MOSFET типа N-канальный с параметрами:

  • Номинальное напряжение коллектора-;base (VCEO): 30В
  • Номинальная токовая способность (ID): 60А
  • Форм-фактор: PPAK SO-8

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и легкость в интеграции
  • Низкое значение тока дренажа
  • Высокая скорость переключения

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Необходимо соблюдать правила работы с высоким напряжением

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Блоки питания
  • Инверторы
  • Переходники

Выбрано: Показать

Характеристики SIRA10DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA10DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории