Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SIRA24DP-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3
;
SIRA24DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIRA24DP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIRA24DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 256.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA24DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 25В
    • Номинальная токовая способность: 60А
    • Форм-фактор: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при открытом канале
    • Малые токовые потери при работе
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкость монтажа благодаря форм-фактору PPAK SO-8
  • Минусы:
    • Требует использования пассивных компонентов для защиты (например, сглаживающие конденсаторы)
    • При неудачном проектировании может перегреваться
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача данных в цифровых системах
    • Контроль мощности в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Цифровые часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA24DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2650 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    62.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIRA24

Техническая документация

 SIRA24DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 18617 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    256 ₽
  • 10
    161 ₽
  • 500
    84 ₽
  • 3000
    67 ₽
  • 9000
    61 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SIRA24DP-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIRA24DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 256.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA24DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 25В
    • Номинальная токовая способность: 60А
    • Форм-фактор: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при открытом канале
    • Малые токовые потери при работе
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкость монтажа благодаря форм-фактору PPAK SO-8
  • Минусы:
    • Требует использования пассивных компонентов для защиты (например, сглаживающие конденсаторы)
    • При неудачном проектировании может перегреваться
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача данных в цифровых системах
    • Контроль мощности в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Цифровые часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA24DP-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2650 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    62.5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIRA24

Техническая документация

 SIRA24DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ISL9N308AP3N-CHANNEL POWER MOSFET
    220Кешбэк 33 балла
    ISL9N7030BLS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    198Кешбэк 29 баллов
    FDD6670AL_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    296Кешбэк 44 балла
    SI6466DQN-CHANNEL POWER MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    ISL9N310AD3N-CHANNEL POWER MOSFET
    109Кешбэк 16 баллов
    HUF75945G3N-CHANNEL POWER MOSFET
    528Кешбэк 79 баллов
    SFI9Z14TUP-CHANNEL POWER MOSFET
    41Кешбэк 6 баллов
    FDD5N50TM4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE
    74Кешбэк 11 баллов
    SFR9024TFP-CHANNEL POWER MOSFET
    128Кешбэк 19 баллов
    HUF76409D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    141Кешбэк 21 балл
    SFS9Z34P-CHANNEL POWER MOSFET
    83Кешбэк 12 баллов
    FDD6682_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    283Кешбэк 42 балла
    HUFA75329G3N-CHANNEL POWER MOSFET
    17 196Кешбэк 2 579 баллов
    SSW2N60BTMN-CHANNEL POWER MOSFET
    104Кешбэк 15 баллов
    HUF75307D3ST_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    IRFS640AN-CHANNEL POWER MOSFET
    135Кешбэк 20 баллов
    FDD5N50FTMN-CHANNEL POWER MOSFET
    170Кешбэк 25 баллов
    FDD6690SN-CHANNEL POWER MOSFET
    187Кешбэк 28 баллов
    RF1K4915696N-CHANNEL POWER MOSFET
    224Кешбэк 33 балла
    IRFW840BTMN-CHANNEL POWER MOSFET
    107Кешбэк 16 баллов
    HUF75925P3N-CHANNEL POWER MOSFET
    226Кешбэк 33 балла
    ISL9N308AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    220Кешбэк 33 балла
    IRFS720BN-CHANNEL POWER MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    HUFA76609D3ST_NLN-CHANNEL POWER MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    IRFR310BTFN-CHANNEL POWER MOSFET
    37Кешбэк 5 баллов
    HUF76121D3SN-CHANNEL POWER MOSFET
    126Кешбэк 18 баллов
    HUF76419D3STR492120A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,
    150Кешбэк 22 балла
    IRFW530ATMN-CHANNEL POWER MOSFET
    69Кешбэк 10 баллов
    SFI9Z24TUP-CHANNEL POWER MOSFET
    43Кешбэк 6 баллов
    SFR2955TFP-CHANNEL POWER MOSFET
    61Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП