Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3
;
SIRA52DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRA52DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 362.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA52DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения (VGS(th)): ≤ 4 V
    • Рейтингное токовое напряжение (VDS(on)): 40 V
    • Рейтингный ток проводимости (ID(on)): 60 A
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении смещения
    • Малый ток утечки
    • Компактный размер благодаря пакету PPAK SO-8
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения правильной работы
    • В некоторых случаях может потребовать охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений в электронных устройствах
    • Изменение тока в цепях
    • Защита от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленное оборудование
    • Системы питания
    • Периферийное оборудование
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA52DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA52DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4448 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    362 ₽
  • 10
    232 ₽
  • 100
    156 ₽
  • 1000
    115 ₽
  • 6000
    92 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRA52DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 362.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA52DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения (VGS(th)): ≤ 4 V
    • Рейтингное токовое напряжение (VDS(on)): 40 V
    • Рейтингный ток проводимости (ID(on)): 60 A
    • Пакет: PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении смещения
    • Малый ток утечки
    • Компактный размер благодаря пакету PPAK SO-8
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения правильной работы
    • В некоторых случаях может потребовать охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений в электронных устройствах
    • Изменение тока в цепях
    • Защита от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленное оборудование
    • Системы питания
    • Периферийное оборудование
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA52DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA52DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории