Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3
;
SIRA60DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRA60DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA60DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)) - 30В
    • Номинальный ток при VDS(ON) - 100А
    • Пакет - PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive- effiency
    • Малый размер и вес
    • Способность работать при высоких температурах
    • Прочность конструкции
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с более простыми MOSFET
    • Требует дополнительного охлаждения для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокоточных электронных устройствах
    • Применяется в системах управления электропитанием
    • Используется в трансформаторах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мобильные устройства
    • Измерительные приборы
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA60DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA60DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 6045 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    300 ₽
  • 10
    223 ₽
  • 100
    183 ₽
  • 1000
    133 ₽
  • 6000
    101 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRA60DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA60DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)) - 30В
    • Номинальный ток при VDS(ON) - 100А
    • Пакет - PPAK SO-8
  • Плюсы:
    • Высокая conductive- effiency
    • Малый размер и вес
    • Способность работать при высоких температурах
    • Прочность конструкции
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с более простыми MOSFET
    • Требует дополнительного охлаждения для достижения максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокоточных электронных устройствах
    • Применяется в системах управления электропитанием
    • Используется в трансформаторах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мобильные устройства
    • Измерительные приборы
    • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA60DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA60DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории