Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3
;
SIRA62DP-T1-RE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRA62DP-T1-RE3 при покупке от 1 шт 287.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA62DP-T1-RE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) типа N-канальный с характеристиками 30В напряжения и 51.4А тока при частоте 100кГц. Также он может работать при более высокой частоте, до 80А. Стандартная оболочка PPAK.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение (VDS): 30В
    • Размер тока (ID): 51.4А (100кГц), 80А (низкая частота)
    • Оболочка: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкость
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума и помех
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Необходимо внимание к проектированию для предотвращения перегрева
    • Могут быть проблемы при работе в условиях высокого напряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Работа в системах управления электрическими моторами
    • Использование в цифровых устройствах для управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных системах управления двигателем
    • Устройствах для бытовой техники
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA62DP-T1-RE3

Техническая документация

SIRA62DP-T1-RE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3771 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    287 ₽
  • 10
    206 ₽
  • 100
    110 ₽
  • 1000
    98 ₽
  • 6000
    94 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRA62DP-T1-RE3 при покупке от 1 шт 287.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA62DP-T1-RE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3 — это MOSFET (МOS полупроводниковый транзистор) типа N-канальный с характеристиками 30В напряжения и 51.4А тока при частоте 100кГц. Также он может работать при более высокой частоте, до 80А. Стандартная оболочка PPAK.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение (VDS): 30В
    • Размер тока (ID): 51.4А (100кГц), 80А (низкая частота)
    • Оболочка: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкость
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума и помех
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Необходимо внимание к проектированию для предотвращения перегрева
    • Могут быть проблемы при работе в условиях высокого напряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Работа в системах управления электрическими моторами
    • Использование в цифровых устройствах для управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных системах управления двигателем
    • Устройствах для бытовой техники
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA62DP-T1-RE3

Техническая документация

SIRA62DP-T1-RE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории