Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRC10DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3
;
SIRC10DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRC10DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRC10DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRC10DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • НапряжениеGBT (VGS(th)): 10 В
    • Размеры пакета: PPAK SO-8
    • Ток пропускания (ID(on)): 60 А
    • Напряжение блокировки (VDS(max)): 30 В
  • Плюсы:
    • Высокая токовая пропускная способность (60 А)
    • Низкий ток утечки при отключенном канале
    • Малый размер и компактность пакета (PPAK SO-8)
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Требует использования для обеспечения надежной работы
    • Необходимо соблюдение правил проектирования и термической обработки
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных и мощных электронных схемах
    • Применяется в источниках питания, преобразователях напряжения
    • Используется в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики SIRC10DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRC10DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 8329 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    261 ₽
  • 10
    165 ₽
  • 500
    85 ₽
  • 3000
    70 ₽
  • 9000
    58 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRC10DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 261.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRC10DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRC10DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • НапряжениеGBT (VGS(th)): 10 В
    • Размеры пакета: PPAK SO-8
    • Ток пропускания (ID(on)): 60 А
    • Напряжение блокировки (VDS(max)): 30 В
  • Плюсы:
    • Высокая токовая пропускная способность (60 А)
    • Низкий ток утечки при отключенном канале
    • Малый размер и компактность пакета (PPAK SO-8)
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Требует использования для обеспечения надежной работы
    • Необходимо соблюдение правил проектирования и термической обработки
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных и мощных электронных схемах
    • Применяется в источниках питания, преобразователях напряжения
    • Используется в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Промышленное оборудование
    • Системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики SIRC10DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRC10DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории