Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3
;
SIRC18DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRC18DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRC18DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3 — это MOSFET N-канальный транзистор, произведённый компанией Vishay Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение питания (VDS(on)): 30В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 60А
  • Пакет: PPAK SO-8

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме нахождения в сопротивлении (low RDS(on))
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкость установки
  • Долгий срок службы благодаря надежной технологии производства

Минусы:

  • Требует правильного охлаждения при высоких нагрузках
  • Не подходит для высокочастотных применений из-за большого времени переключения

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Регулировка напряжения в системах управления
  • Применение в силовых конвертерах
  • Торможение двигателей

Этот тип MOSFET широко используется в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и низкий коэффициент сопротивления в режиме нахождения в сопротивлении.

Выбрано: Показать

Характеристики SIRC18DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRC18DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 8636 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    300 ₽
  • 10
    212 ₽
  • 100
    151 ₽
  • 1000
    111 ₽
  • 6000
    95 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRC18DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRC18DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3 — это MOSFET N-канальный транзистор, произведённый компанией Vishay Siliconix. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение питания (VDS(on)): 30В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 60А
  • Пакет: PPAK SO-8

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме нахождения в сопротивлении (low RDS(on))
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкость установки
  • Долгий срок службы благодаря надежной технологии производства

Минусы:

  • Требует правильного охлаждения при высоких нагрузках
  • Не подходит для высокочастотных применений из-за большого времени переключения

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Регулировка напряжения в системах управления
  • Применение в силовых конвертерах
  • Торможение двигателей

Этот тип MOSFET широко используется в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и низкий коэффициент сопротивления в режиме нахождения в сопротивлении.

Выбрано: Показать

Характеристики SIRC18DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRC18DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории