SIRS700DP-T1-GE3

Основные параметры:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
• Производитель: Vishay Siliconix
• Корпус: POW (предположительно PowerPAK SO-8 или аналогичный, оптимизированный для отвода тепла)
• Назначение: Силовой (Power)

Плюсы:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) для минимизации потерь мощности
• Высокая плотность мощности благодаря эффективному корпусу
• Быстрое переключение для применения в высокочастотных схемах
• Хорошая тепловая производительность, позволяющая работать при высоких токах
• Надежность, характерная для продукции Vishay Siliconix

Минусы:

• Более высокая стоимость по сравнению с транзисторами общего назначения
• Требует правильного управления затвором для эффективной работы
• Может быть чувствителен к электростатическим разрядам (ESD)

Общее назначение:

N-канальный силовой MOSFET с напряжением 100 В предназначен для использования в приложениях, где требуется эффективное переключение больших токов и управление мощностью. Он выступает в роли электронного ключа или регулятора, обеспечивая минимальные потери мощности при работе.

Применяется в следующих устройствах:

• Импульсные источники питания (SMPS), включая DC/DC преобразователи
• Инверторы и контроллеры двигателей
• Управление батареями и зарядные устройства
• Светодиодные драйверы
• Автомобильная электроника (например, системы управления двигателем, освещение)
• Промышленное оборудование
• Усилители класса D