SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение (V_DS(ON)): 100В
• Номинальный ток при V_DS = 10В (I_D(on)): 5.2А
• Максимальный ток при V_GS = 10В (I_D(max)): 14.2А
• Пакет: PPAK
• Плюсы:
• Высокая проводимость в режиме ON
• Низкое сопротивление в режиме ON
• Высокие токовые характеристики
• Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета PPAK
• Высокая надежность и долговечность
• Минусы:
• Требует дополнительной термальной защиты при высоких нагрузках
• Не рекомендуется для постоянных высокочастотных применений без соответствующей развязки
• Общее назначение:
• Применяется в различных электронных устройствах, где требуются высокие токовые характеристики и низкое сопротивление в режиме ON
• Используется в источниках питания, преобразователях энергии, драйверах для светодиодов и других приборах, требующих высокой эффективности и надежности
• В каких устройствах применяется:
• Источники питания
• Преобразователи энергии
• Драйверы для светодиодов
• Мотор-контроллеры
• Автомобильные системы