Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3
;
SIS427EDN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIS427EDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS427EDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 50А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый размер и легкий вес
    • Хорошая термическая стабильность
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и серверы
    • Автомобильные системы питания
    • Системы энергоснабжения домов
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIS427EDN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.6mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1930 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS427

Техническая документация

SIS427EDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIS427EDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS427EDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 50А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый размер и легкий вес
    • Хорошая термическая стабильность
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и серверы
    • Автомобильные системы питания
    • Системы энергоснабжения домов
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIS427EDN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.6mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1930 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS427

Техническая документация

SIS427EDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории